Gunn-diyotu
gerilimi
direnç
bölgesi
Resim 1: Bir Gunn-diyotunun akım/gerilim çalışma karakteristiği
gerilimi
direnç
bölgesi
Resim 1: Bir Gunn-diyotunun akım/gerilim çalışma karakteristiği
Mikrodalgalar, aralarında bir Gunn-diyotunda bulunduğu elemanlarla üretilebilirler. Bu diyotun temeli Gunn-etkisine dayanır. J.B.Gunn 1963 yılında bir sabit, nispeten yüksek elektrik geriliminin bir n-katkılanmış galyum arsenik kristaline uygulanması sonuncunda hızlı, istatistiki akım dalgalanmaları meydana geldiğini keşfetti. Bu şunu göstermiştir; çok daha kısa kristallerdeki bu akım dalgalanmaları, frekansı kristalin uzunluğu ile belirlenen evreuyumlu salınımlar meydana getirirler ve mikrodalga bölgesinde yer alırlar.
Gunn-etkisi genellikle, en büyük ile en küçük değerleri arasında çok büyük bir enerji aralığı bulunmayan, böylece bazı („sıcak“) elektronların daha yüksek enerji bantlarına kolayca ulaştığı yarıiletkenlerde görülür. Elektronlar bu bölgede daha küçük hareket yeteneğine sahiptir, alan kuvvetinde daha büyük değişiklik akımdaki daha küçük bir değişime yol açar, yani bu bölge salınım ve yükseltmenin meydana gelmesi için ön koşul olan bir negatif direnç bölgesidir.
Gunn-diyotlu osilatörler ile 65 mW ile 65 mW lık bir mikrodalga gücü ve yaklaşık 200 W a kadar tepe gücüne sahip darbeler elde edilir.