Elektriksel İletimin Oluşumu
Gerçek germanyum kristaline en küçük enerji ΔE (örneğin 50°C ye kadar ısıtıldığında) verildiğinde bağ elektronları sabit konumlarından koparlar. Bunlar artık birer serbest elektron olarak yük taşıyıcıları haline gelmiştir. Kopan elektron, arkasında basitçe delik (hole) olarak adlandırılan bir elektron boşluğu bırakır. Kristal yapıda bu delik bir pozitif temel yükü temsil eder, çünkü germanyum atomlarının pozitif çekirdek yükü artık daha baskındır.
Resim 1: Delik iletiminin modeli
Resim 1: Delik iletiminin modeli
Bir yarıiletken kristalde bu elektron boşluğu (yani delik) başka bir bağa ait bir elektron tarafından tekrardan doldurulur. Aslında delik yok olmaz, sadece kristal kafes içinde delik yerini değiştirir. Eğer kristale gerilim uygulanırsa elektronlar pozitif elektroda doğru göç ederler. Aynı anda delikler negatif elektroda göç ederler ve bunun sonucunda pozitif yük taşıyıcıların etkisine denk bir elektriksel iletim meydana gelir.
Deliklerin yük taşınmasına olan katkısı P-iletimi; elektron iletimi ise N-iletimi olarak adlandırılır. Serbest elektronların ve deliklerin çiftler halinde bir araya gelmelerine ikili birleşme, bir deliğin bir elektronla yeniden bir araya gelmesine ise yeniden birleşme (recombination) denilir. Bir yarı iletkende aynı sayıda birçok elektron ve deliklerin yer aldığı bu tür elektriksel iletim özgün iletim (intrinsic conduction) olarak adlandırılır.