www.radartutorial.eu www.radartutorial.eu Radar Temelleri

Monolitik Mikrodalga Tümleşik Devre Teknolojisi (MMIC)

MMIC teknolojisi GaAs-MeSFET güç modülü

Resim 1: MMIC teknolojisi ile üretilmiş GaAs-MeSFET güç modülü

Monolitik Mikrodalga Tümleşik Devre teknolojisi (Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC) bir monokristal altkatman (substrate) üzerine aktif ve pasif aygıtların yerleştirilmesinde kullanılan bir teknolojidir. Bu devreler oldukça yüksek bir sınır frekansında çalıştırılabilirler.

GaAs-MESFET ler sıkça radar aygıtlarındaki katıhal yüksek güç yükselteçlerinde kullanılır.

TeknolojiKullanım
alanı
DurumNotlar
Silisyum- iki-kutuplu ve CMOS<6 GHzOldukça gelişmiş, piyasadan temini kolay, CAD desteği iyi.BJT: yüksek kazançlı, küçük toleranslı, Silisyum-altkatman: dielektrik kayıpları çok fazla, özel sipariş MMIC lerde yüksek maskeleme maliyeti. Analog ve sayısal devrelerin beraber bulunduğu yerler için uygun.
Silisyum-germanyum- iki-kutuplu (Si-Ge)<10 GHzÇok kısa zamanda yüksek seviyeye geliştirildi. CAD-desteği üzerinde çalışılıyor.Çok karmaşık, masraflı bir işlem. Analog ve sayısal devrelerin beraber bulunduğu yerler için uygun.
GaAs-MESFET<10 GHzOldukça gelişmiş, özel sipariş MMIC lerin piyasadan temini kolay. CAD desteği iyi.Basit teknoloji: Az sayıda özel siparişler için bile uygun fiyat. Güç yükselteçleri için uygun.
GaAs-farklı iki-kutuplu transistörler (HBT)<20 GHzPiyasaya sunuldu. CAD- desteği üzerinde çalışılıyor.Hızlı sayısal devreler, osilatörler ve güç yükselteçleri için uygun.
İndiyum-Fosfit- HEMT (InP)<100 GHzPiyasaya sunuldu. CAD desteği üzerinde çalışılıyor.InP-HEMT: mm dalga boyunda ki küçük işaretler ve düşük gürültü seviyesi için en iyisi.
İndiyum-Fosfit- HBT (InP)<230 GHzPiyasaya sunuldu.Hızlı sayısal devreler için uygun.

Çizelge 1: MMIC-teknolojilerine toplu bakış (2003 itibarıyla)


Sponsors: