pnp- Transistör
Resim 1: Normal bir ön gerilim uygulanmış pnp transistör
Resim 1: Normal bir ön gerilim uygulanmış pnp transistör
Bir pnp transistör prensip olarak aynen bir npn transistör gibi çalışır. Fakat zon sıralaması farklıdır, yani emetör, taban ve kollektör, bir npn transistöre göre zıt katkılanmıştır, akım başka bir yük taşıyıcı tarafından gerçekleşir. pnp transistörde akım taşıyıcılar elektron delikleridir. Fakat bu delik akımının olabilmesi için ön gerilimlerin polaritelerinin değişmesi gerekir. Transistörün uçları Resim. 1 de verilmiştir.
Burada, polariteler doğru seçilerek, npn transistörde ki aynı yöntemler uygulanır. Yine uç sıralaması „emetör-taban-kollektör” şeklindedir. Resim.1 de görüldüğü gibi, pnp zon sıralamasında birinci harf emetör tabana göre pozitif, ikinci harf olan taban negatif, üçüncü harf kollektör yine pozitiftir. (Ancak taban-emetör gerilimine göre, kollektör-emetör geriliminin çok daha negatif olması nedeniyle kollektör-taban gerilimi pozitif olacaktır.) Akım pnp transistör kristalinde elektron delikleri tarafından meydana gelir. Kristal dışındaki akımların tümü elektron akımıdır.
Resim 2: Doğru ön gerilim uygulanmış pnp transistörde ki pn-kavşağı.
Doğru ön gerilimlenmiş pn-kavşağı
Emetörde ki pozitif gerilim tabandan elektronları çeker ve tabanda ki negatif gerilim ise elektronları iter ve emetör yönünde bir akış oluşur. Bir elektron, p-katkılı emetörden ki yarıiletken malzemeye vardığında buradaki bir elektron boşluğunu doldurur, yani yeniden birleşir. Aynı anda emetörün ucundan ayrılan bir elektron bataryaya gider, böylece IB taban akımı meydana gelir.
Ters ön gerilimlenmiş pn-kavşağı
Ters ön gerilimlenmiş pn-kavşağında kollektörün tabana göre daha negatif olması nedeniyle çoğunluk taşıyıcılarının bir akım meydana getirmesi mümkün olmaz. Bununla beraber aynı negatif gerilim, burada ki azınlık taşıyıcıları deliklerin küçük bir sızıntı akımı yaratmasına sebep olur. Bu yük taşıyıcıları taban kollektör kavşağını geçmeyi başarırlar. Elektronların sebep olduğu, zıt yöndeki bu delik akımı, azınlık taşıyıcılarının sayısının azlığı nedeniyle mikro amper seviyesindedir.
Resim 3: Ters ön gerilim uygulanmış pnp transistör
Her iki pn-kavşağının karşılıklı ilişkisi
Resim 2: Bir pnp transistörün çalışması
Resim 4: Bir pnp transistörün çalışması
Her iki pn-kavşağının karşılıklı ilişkisi npn transistörde ki gibidir, ama bir farkla, p-katkılı emetör ve kollektör yarıiletkenlerindeki çoğunluk taşıyıcıları elektron delikleridir. Bu nedenle elektron delikleri pozitif ön gerilimli emetörden daha negatif tabana doğru hareket ederler. Delikler burada tabanın serbest elektronlarıyla yeniden birleşirler. Daha önce söz ettiğimiz gibi bu taban katmanı çok incedir, yük taşıyıcıların %90 ı kollektör ucunda çok büyük negatif VCC gerilimi tarafından çekilirler ve taban ucuna varırlar. Kollektör ucuna ulaşan her bir elektron deliğine bataryadan bir elektron temin edilir ve sonuçta kollektörden emetöre doğru büyük bir akım meydana gelir.
Resim 3: pnp transistörde ki akımlar
Resim 5: pnp transistörde ki akımlar
Bir pnp transistör yarıiletken kristalinin haricindeki elektron akımının, npn transistörün (keza yarıiletken kristalin haricinde de) elektron akımına zıt yönde olmasına rağmen, her iki transistörde ki akımlar daima emetörden kollektöre doğru olur! Aynı şekilde pnp transistörde de IE emetör akımı, IB taban ve IC kollektör akımlarının toplamına eşittir. Yine burada da nispeten daha küçük bir taban akımı çok sayıda çoğunluk taşıyıcısının pn-kavşağını geçmesini sağlar ve büyüklüğü taban akımı tarafından kontrol edilen büyükçe bir kollektör akımının meydana gelmesine sebep olur.