www.radartutorial.eu Radar Temelleri

MMIC- Teknolojisi

MMIC teknolojisi GaAs-MeSFET güç modülü
Resim 1: MMIC teknolojisi GaAs-MeSFET güç modülü

MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) Monolitik Mikrodalga Tümleşik Devre teknolojisi bir monokristal üstleç (substrate) üzerine aktif ve pasif devrelerin imal edilmesinde kullanılan bir teknolojidir. Bu devreler oldukça yüksek sınır frekanslarda kullanılabilirler.

GaAs-MESFET ler en çok radar cihazlarında ki katı hal yüksek güç yükselteçlerinde kullanılır.

TeknolojiKullanım
alanı
DurumNotlar
Silisyum- bipolar ve CMOS<6 GHzOldukça gelişmiş, piyasadan temini kolay, CAD desteği iyi.BJT: yüksek kazanç, küçük toleranslı, Silisyum-üstleç: kayıpları fazla dielektrikum, özel sipariş MMIC lerde yüksek maskeleme maliyeti. Analog ve sayısal devrelerin beraber bulunduğu yerler için uygun.
Silisyum-germanyum- bipolar (Si-Ge)<10 GHzÇok kısa zamanda yüksek seviyeye geliştirildi. CAD desteği üzerinde çalışılıyor.Çok karmaşık, masraflı bir işlem. Analog ve sayısal devrelerin beraber bulunduğu yerler için uygun.
GaAs-MESFET<10 GHzOldukça gelişmiş, özel sipariş MMIC lerin piyasadan temini kolay. CAD desteği iyi.Basit teknoloji: Az sayıda özel siparişler için bile uygun fiyat. Güç yükselteçleri için uygun.
GaAs-hetero-bipolar- transistörler (HBT)<20 GHzPiyasaya sunuldu. CAD desteği üzerinde çalışılıyor.Hızlı sayısal devreler, osilatörler ve güç yükselteçleri için uygun.
İndiyum-Fosfit- HEMT (InP)<100 GHzPiyasaya sunuldu. CAD desteği üzerinde çalışılıyor.InP-HEMT: mm dalga boyunda ki küçük sinyaller ve düşük gürültü seviyesi için en iyisi.
Indium-Phosphid- HBT (InP)<230 GHzPiyasaya sunuldu.Hızlı sayısal devreler için uygun.

Çizelge 1: MMIC- teknolojilerine toplu bakış (2003 itibarıyla)