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Circuit intégré monolithique hyperfréquences

Un module de puissance GaAs-MeSFET de technologie MMIC

Figure 1 : Un module de puissance GaAs-MeSFET de technologie MMIC

La technique du circuit intégré monolithique hyperfréquences, souvent connu par son sigle anglophone de MMIC, est un circuit intégré constitué par l'association sur un même support de plusieurs éléments actifs et passifs reliés par des lignes de transmissions à bandes ou à fentes. On peut de cette manière réaliser des fonctions simples telles qu'un amplificateur, un oscillateur, un mélangeur, ou des fonctions plus complexes.

Les MESFET (MEtal Semiconductor Field Effect Transistor) à l’arséniure de gallium (GaAs) sont un type de MMIC qui est souvent utilisé dans les amplificateurs de puissance à semi-conducteurs.

TechnologieBande de fréquencesUsage commercialCommentaires
Silicium bipolaire et CMOS<6 GHz Technologie très bien établie et disponible partout, bon support pour la conception assistée par ordinateur (CAO). Transistor bipolaire de grande amplification et faible tolérance. Substrat de silicium avec fortes pertes diélectriques. Coût très élevé pour un circuit sur mesure de MMIC. Adapté pour les circuits mixtes analogues/numériques.
Silicium-Germanium bipolaire (Si-Ge) <10 GHz En développement rapide. Le support CAO lui aussi est en développement. Très complexe et coûteux. Il est bien adaptés pour les circuits mixtes analogue/numériques.
MESFET- GaAs <10 GHz Technologie mûre et disponible pour les MMIC fait sur mesure. Bon support CAO. Technologie simple et économique pour les circuits faits sur mesure et en petites quantités. Bon pour les amplificateurs de puissance.
Transistor GaAs-hétéro-bipolaire (HBT) <20 GHz Introduit récemment, son support CAO se développe. Adapté aux circuits numériques rapides, aux oscillateurs et aux amplificateurs de puissance.
Phosphure d’indium HEMT (InP) <100 GHz Introduit récemment, son support CAO se développe. InP-HEMT: meilleure performance pour les faibles signaux micro-ondes et son bruit est faible.
Phosphure d’indium HBT (InP) <230 GHzIntroduit récemment. Adapté aux circuits numériques les plus rapides.

Tableau 1: Survol des MMIC en 2003.