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MMIC- Technologie

Powermodul in MMIC Technologie
Bild 1: GaAs-MeSFET Powermodul in MMIC Technologie

MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit)- Technologie ist eine Technologie zur Herstellung aktiver und passiver Bauelemente auf einem monokristallinen Substrat. Diese Schaltungen können dann bis zu einer relativ hohen Grenzfrequenz betrieben werden.

GaAs-MeSFETs werden häufig in Solid-State Hochleistungsverstärkern von Radargeräten eingesetzt.

TechnologieEinsatz
bereich
StandBemerkungen
Silizium- Bipolar und CMOS<6 GHzSehr ausgereift, kommerziell verfügbar, gute CAD-Unterstützung.BJT: hohe Verstärkung, kleine Toleranzen, Si-Substrat: stark verlustbehaftes Dielektrikum. Sehr hohe Maskenkosten für kundenspezifische MMICs. Geeignet für gemischt analog/digitale Schaltungen
Silizium-Germanium- Bipolar (Si-Ge)<10 GHzIn kurzer Zeit auf hohen Stand ent-wickelt. CAD-Unterstützung im Aufbau.Sehr komplexer, aufwändiger Prozess. Geeignet für gemischt analog/digitale Schaltungen.
GaAs-MESFET<10 GHzAusgereift, kommerziell gut verfügbar für kundenspezifische MMICs. Gute CAD-Unterstützung.Einfache Technologie: kostengünstig für kundenspezifische Schaltungen mit kleinen Stückzahlen. Geeignet für Leistungsverstärker.
GaAs-Hetero-Bipolartransistoren (HBT)<20 GHzIn kommerzieller Einführung. CAD-Unterstützung im Aufbau.Geeignet für schnellste Digitalschaltungen, Oszillatoren und Leistungsverstärker.
Indium-Phosphid- HEMT (InP)<100 GHzIn kommerzieller Einführung. CAD-Unterstützung im Aufbau.InP-HEMT: beste mm-Wellen- Kleinsignal- und Rauscheigenschaften.
Indium-Phosphid-HBT (InP)<230 GHzIn kommerzieller Einführung.Geeignet für schnellste Digitalschaltungen.

Tabelle 1: Übersicht von MMIC- Technologien (Stand 2003)